自作エフェクター：セレクトパーツショップ　トランスミット・サウンズ

【シリコントランジスタ】
FET
Ｊ112
エフェクターに良く使われているＪFETトランジスタ。

拡大表示	【シリコン】Ｊ112：フェアチャイルド社製 販売期間: 価格: 36円 (税込) [ポイント還元 2ポイント～] 購入数: 個 返品についての詳細はこちら

印字面から見て　左Ｄ　真ん中Ｓ　右Ｇ

2Ｎ5457　Ｄａｔａ:JFET
Transistor Polarity: N-Channel
Drain Current (Idss at Vgs=0): 2.5 mA to 5 mA
Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Package / Case: TO-92
Ｐorward Transconductance gFS (Max / Min): 0.001 S to 0.005 S
Power Dissipation: 625 mW

Ｊ111　Ｄａｔａ: JFET
Transistor Polarity: N-Channel
Drain Current (Idss at Vgs=0): 4 mA to 16 mA
Gate-Source Breakdown Voltage: - 35 V
Package / Case: TO-92
Gate-Source Cutoff Voltage: - 10 V
Power Dissipation: 625 mW
Resistance Drain-Source RDS (on): 30 Ohms

Ｊ112 Ｄａｔａ: JFET
Transistor Polarity: N-Channel
Drain Current (Idss at Vgs=0): 1 mA to 5 mA
Gate-Source Breakdown Voltage: - 35 V
Ｐａckage / Case: TO-92
Gate-Source Cutoff Voltage: - 5 V
Power Dissipation: 625 mW
Resistance Drain-Source RDS (on): 50 Ohms

Ｊ113 Ｄａｔａ: JFET
Transistor Polarity:N-Channel
Drain Current (Idss at Vgs=0): 2 mA to 9 mA
Gate-Source Breakdown Voltage: - 35 V
Package / Case: ＴO-92
Gate-Source Cutoff Voltage: - 3 V
Power Dissipation: 625 mW
Resistance Drain-Source RDS (on): 100 Ohms